IRFH5210TRPBF

1. ქვედა გამტარობის დანაკარგები
2. უზრუნველყოფს უკეთეს თერმული გაფრქვევას
3.გაზრდილი საიმედოობა
4.გაზრდილი დენის სიმკვრივე
5.Multi-Vendor თავსებადობა
6. უფრო მარტივი წარმოება
7.ეკოლოგიურად მეგობრული
8.გაზრდილი საიმედოობა

მწარმოებლის ნაწილის ნომერი:IRFH9310TRPBF
მწარმოებელი / ბრენდი International Rectifier (Infineon Technologies)
აღწერა ნაწილი: MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
ტყვიის უფასო სტატუსი / RoHS სტატუსი: ტყვიის გარეშე / RoHS თავსებადი
მარაგის მდგომარეობა: ახალი ორიგინალი, 12000 ცალი ხელმისაწვდომია.
გემი: ჰონგ კონგი
მიწოდების გზა: DHL/Fedex/TNT/UPS
პროდუქტის ატრიბუტის ატრიბუტის ღირებულება აირჩიეთ ატრიბუტი
ნაწილის ნომერი IRFH9310TRPBF
მწარმოებელი / ბრენდის საერთაშორისო რექტიფიკატორი (Infineon Technologies)
მარაგის რაოდენობა 12000 ცალი მარაგი
კატეგორია დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები > ტრანზისტორები - FET, MOSFET - ერთჯერადი
აღწერა MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
ტყვიის გარეშე სტატუსი / RoHS სტატუსი: ტყვიის გარეშე / RoHS თავსებადი
სიგანე - შიგნით -55°C ~ 150°C (TJ)
ძაბვა/დენი - გამომავალი 1 PQFN (5x6)
ტოლერანტობა 5250pF @ 15V
კუდის ტიპი P-არხი
საფეხურის კუთხე MOSFET (მეტალის ოქსიდი)
შემცირების ტემპერატურა Infineon Technologies
SFP/XFP ტიპი ±20V
დისტანციური შესაძლებლობა HEXFET®
მოედანი - საკაბელო ზედაპირის სამონტაჟო
სხვა სახელები Lead free / RoHS Compliant
სხვა სახელები 1
ოსცილატორის ტიპი 8-PowerVDFN
DAC-ის 30 ვ
მინიმალური სითხის სპეციფიკური წონა -
შეჯვარების ორიენტაცია 4.6 mOhm @ 21A, 10V
მწარმოებლის ნაწილის ნომერი IRFH9310TRPBFDKR-ND
სიგრძე - ლულის Digi-Reel®
ნათურის ფერი 4.5V, 10V
მაღალი გვერდითი ძაბვა - მაქს (ჩამტვირთავი) 21A (Ta), 40A (Tc)
ფუნქცია 58nC @ 4.5V
Coil Power Active
არხის ტევადობა (CS(გამორთული), CD(გამორთული)) 3.1W (Ta)
ბარათის წამკითხველის ტიპი 2.4V @ 100µA
მახასიათებლები და უპირატესობები
ახასიათებს შედეგად მიღებული უპირატესობები
დაბალი RDSon (≤ 4.6mΩ) ქვედა გამტარობის დანაკარგები
მრეწველობის სტანდარტული PQFN პაკეტი მრავალ გამყიდველის თავსებადობა
RoHS შესაბამისობა, რომელიც არ შეიცავს ტყვიას, ბრომიდს და ჰალოგენს ეკოლოგიურად სუფთა
შედეგად
შენიშვნა
ფორმა რაოდენობა
IRFH9310TRPBF PQFN 5მმ x 6მმ ლენტი და რგოლი 4000
შეკვეთადი ნაწილის ნომერი პაკეტის ტიპი სტანდარტული პაკეტი
VDS -30 ვ
RDS(ჩართული) მაქს
(@VGS = 10V) 4,6 mΩ
Qg (ტიპიური) 110 nC
RG (ტიპიური) 2.8 Ω
ID
(@TA = 25°C) -21 ა
აბსოლუტური მაქსიმალური რეიტინგები
პარამეტრის ერთეულები
VDS გადინების წყაროს ძაბვა
VGS Gate-to-Source ძაბვა
ID @ TA = 25°C უწყვეტი გადინების დენი, VGS @ -10V
ID @ TA = 70°C უწყვეტი გადინების დენი, VGS @ -10V
ID @ TC = 25°C უწყვეტი გადინების დენი, VGS @ -10V (Silicon Limited)
ID @ TC = 70°C უწყვეტი გადინების დენი, VGS @ -10V (Silicon Limited)
ID @ TC = 25°C უწყვეტი გადინების დენი, VGS @ -10V (პაკეტი შეზღუდულია)
IDM პულსირებული გადინების დენი
PD @TA = 25°C დენის გაფრქვევა
PD @ TA = 70°C დენის გაფრქვევა
წრფივი დამთრგუნველი ფაქტორი W/°C
TJ ოპერატიული Junction და
TSTG შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი
განმეორებითი რეიტინგი;პულსის სიგანე შეზღუდულია მაქს.შეერთების ტემპერატურა.
საწყისი TJ = 25°C, L = 1.1mH, RG = 50Ω, IAS = -17A.
პულსის სიგანე ≤ 400µs;სამუშაო ციკლი ≤ 2%.
1 ინჩის კვადრატულ სპილენძის დაფაზე დამაგრებისას.
Rθ იზომება TJ-ზე დაახლოებით 90°C.
მხოლოდ DESIGN AID-ისთვის, არ ექვემდებარება წარმოების ტესტირებას.